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IRLL2703
1000
800
V GS =
C iss =
C rss =
C oss =
0V,    f = 1MHz
C gs + C gd , C ds SHORTED
C gd
C ds + C gd
15
12
I D = 2.3A
V DS = 24V
V DS = 15V
C iss
600
400
C oss
9
6
200
C rss
3
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
0
0
4
8
SEE FIGURE 13
12
16
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
10
100us
1ms
0.1
0.2
0.6
1.0
V GS = 0 V
1.4         1.8
T A = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
1
0.1
1
10
10ms
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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